基本解釋
原子按照統(tǒng)一的規(guī)則排列的晶體。具有一定的外形，其物理性質(zhì)在各個(gè)方向各不相同。
詞語(yǔ)來(lái)源
該詞語(yǔ)來(lái)源于人們的生產(chǎn)生活。
詞語(yǔ)造句
1、在鐵電陶瓷中發(fā)現(xiàn)的長(zhǎng)時(shí)間自由弛豫效應(yīng)也出現(xiàn)于單晶體中。
2、高度完整的單晶體對(duì)于制造集成電路來(lái)說(shuō)是絕對(duì)必要的。
3、研究人員首先在單晶體TiO2平面上制作一層或兩層的單分子硒化鉛量子點(diǎn)。
4、單元粒子是單晶體構(gòu)成的細(xì)小的粘土顆粒，是由一種或多種層狀結(jié)構(gòu)的硅酸鹽構(gòu)成的混層粘土的基本單元。
5、基于韌性單晶體實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象，建立了描述晶體塑性變形的離散滑移模型。
6、對(duì)單晶體的喇曼光譜測(cè)定說(shuō)明，不同的入射和接受方向只對(duì)譜帶的相對(duì)強(qiáng)度產(chǎn)生影響。
7、考查了鑄造用天然硅砂的礦物晶體形態(tài)，可將其大致分為單晶體和多晶集合體兩類。
8、對(duì)該突變體酶進(jìn)行了晶體生長(zhǎng)研究，獲得了較大的單晶體。
9、對(duì)FCC單晶體的率無(wú)關(guān)彈塑性力學(xué)響應(yīng)的本構(gòu)關(guān)系進(jìn)行了數(shù)值模擬。
10、用提拉技術(shù)，使用鎢加熱坩堝系統(tǒng)，成功地生長(zhǎng)了優(yōu)質(zhì)剛玉單晶體。
11、并對(duì)晶體生長(zhǎng)的工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，得到了高質(zhì)量的單晶體。
12、合成的氧化鎵納米結(jié)構(gòu)是單晶體。
13、試驗(yàn)結(jié)果表明，單晶體組成的鑄造用硅砂具有較高的穩(wěn)定性和耐用性；多晶集合體砂粒組成的鑄造用硅砂具有較低的穩(wěn)定性。
14、為了能夠制作出合格的探測(cè)器，首先要生長(zhǎng)出高質(zhì)量的單晶體。
15、因此，金剛石單晶體的生長(zhǎng)看來(lái)既受到太高的碳?xì)涑柡投鹊挠绊?，也受到少量原子態(tài)氫的影響，還受到生長(zhǎng)物質(zhì)表面遷移率減小的影響。
16、本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)超純金屬以及由其制造的單晶體的方法。
17、晶須是受控條件下培植而成的纖細(xì)單晶體，是一種新型增強(qiáng)補(bǔ)韌劑。
18、采用改進(jìn)的升華法在氮?dú)猸h(huán)境下制備氮化鋁單晶體。
19、鉛基弛豫鐵電單晶體由于其優(yōu)異的壓電性能在機(jī)電換能領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
20、本文報(bào)導(dǎo)了用溶膠—凝膠法自生壓力下水熱合成12—硅鉬酸鹽，并成功培養(yǎng)出結(jié)晶完美的大單晶體。
21、盡管兩種模型在揭示單晶體的物理性能方面是不同的，但是在預(yù)測(cè)材料力學(xué)性能方面有著相同的預(yù)測(cè)趨勢(shì)。
22、通過(guò)優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件制備出了六角形的高質(zhì)量的氮化鋁單晶體。
23、的單晶體，對(duì)其進(jìn)行了X射線粉末衍射、元素分析、紅外光譜、熱重分析和X射線單晶衍射測(cè)定。
24、用透射電鏡選區(qū)電子衍射（TEM）方法測(cè)試了導(dǎo)模法生長(zhǎng)的白寶石單晶體的晶體結(jié)構(gòu)和點(diǎn)陣常數(shù)。
25、研究了中子輻照下鈦寶石單晶體缺陷的形成及光學(xué)性能的變化。
26、SHELX是一套程序，它用于從單晶體衍射數(shù)據(jù)中的晶體結(jié)構(gòu)決定。
27、典型的有機(jī)薄膜是單分子二維單晶體、雙分子膜和水鑄膜，其厚度與分子長(zhǎng)度大約一致。
28、單晶體結(jié)構(gòu)，確保高可靠性。
29、凝膠點(diǎn)以前，得到的是單晶體；
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